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Carsten Elgert
Mentor Graphics, European Marketing Director
News, die aktuell über unseren Ticker laufen
München, Deutschland – 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG ist für die Entwicklung eines neuartigen Energiesparchips auf Basis des innovativen Halbleitermaterials Siliziumkarbid (SiC) für den Deutschen Zukunftspreis 2024, den Preis des Bundespräsidenten für Technik und Innovation, nominiert. Die Jury hat die insgesamt drei nominierten Teams heute in München bekanntgegeben. Einem Entwickler-Team von Infineon ist es gemeinsam mit der Technischen Universität Chemnitz gelungen, den weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) und innovativer Kupferkontaktierung in der 3300V-Spannungsklasse zu entwickeln. Bei den neuen SiC-Modulen und den darauf basierenden Stromrichtern handelt es sich um einen revolutionären Innovationssprung in der Halbleitertechnologie von herkömmlichen Silizium hin zu energieeffizienterem Siliziumkarbid, durch den sich Schaltverluste bei Hochstromanwendungen um 90 Prozent reduzieren.
Infineon präsentiert weltweit erste 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Power-Technologie – ein Meilenstein für die Branche
München, Deutschland und Villach, Österreich - 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG gab heute bekannt, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht. Dieser Durchbruch wird dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzutreiben. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht.
Infineon kündigt StrongIRFET™ 2 30 V-Leistungs-MOSFET-Portfolio für Massenmarkt-Anwendungen an
München, 10. September 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt die neuen StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 30 V auf den Markt und erweitert damit die existierende StrongIRFET 2-Familie, um der wachsenden Nachfrage nach 30-V-Lösungen im Massenmarkt zu begegnen. Die neuen Leistungs-MOSFETs wurden für hohe Robustheit und Benutzerfreundlichkeit optimiert. Sie wurden speziell für die Anforderungen eines breiten Anwendungsspektrums entwickelt und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Zu den Anwendungen zählen industrielle Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe, batteriebetriebene Anwendungen, Batteriemanagementsysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
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