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MEXPERTS – die MEdia EXPERTen für Ihre B2B/B2C-Kommunikation! Als PR- und Multimedia-Agentur vermitteln wir seit 1993 erfolgreich zwischen innovativen High-tech-Unternehmen und der Fach-, Tages- und Wirtschaftspresse. Unser erfahrenes Team mit sowohl technischem als auch journalistischem Hintergrund setzt für Ihren Erfolg kreative Ideen, beste Kontakte, neueste Technologien und modernste Kommunikationsmittel ein.

Meinungen von Kunden und Journalisten

"Auf Mexperts aufmerksam wurden wir durch Hinweise von Journalisten aus der Elektronikbranche. Inzwischen schätzen wir den Service und die unkomplizierte, pragmatische Zusammenarbeit mit den Mexperten seit fast 5 Jahren. Unsere europäischen PR-Aufgaben werden durch die Agentur bestens betreut. Die Kombination aus technischer Expertise, Zugang zu allen redaktionellen Ebenen der für uns relevanten Publikationen sowie professioneller Arbeitsweise ist einzigartig in Europa!"

Carsten Elgert
Mentor Graphics, European Marketing Director

News, die aktuell über unseren Ticker laufen



Infineon mit neuartiger Siliziumkarbid-Lösung für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert
München, Deutschland – 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG ist für die Entwicklung eines neuartigen Energiesparchips auf Basis des innovativen Halbleitermaterials Siliziumkarbid (SiC) für den Deutschen Zukunftspreis 2024, den Preis des Bundespräsidenten für Technik und Innovation, nominiert.  Die Jury hat die insgesamt drei nominierten Teams heute in München bekanntgegeben. Einem Entwickler-Team von Infineon ist es gemeinsam mit der Technischen Universität Chemnitz gelungen, den weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) und innovativer Kupferkontaktierung in der 3300V-Spannungsklasse zu entwickeln. Bei den neuen SiC-Modulen und den darauf basierenden Stromrichtern handelt es sich um einen revolutionären Innovationssprung in der Halbleitertechnologie von herkömmlichen Silizium hin zu energieeffizienterem Siliziumkarbid, durch den sich Schaltverluste bei Hochstromanwendungen um 90 Prozent reduzieren.

Infineon präsentiert weltweit erste 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Power-Technologie – ein Meilenstein für die Branche
München, Deutschland und Villach, Österreich - 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG gab heute bekannt, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht. Dieser Durchbruch wird dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzutreiben. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht.

Infineon kündigt StrongIRFET™ 2 30 V-Leistungs-MOSFET-Portfolio für Massenmarkt-Anwendungen an
München, 10. September 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt die neuen StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 30 V auf den Markt und erweitert damit die existierende StrongIRFET 2-Familie, um der wachsenden Nachfrage nach 30-V-Lösungen im Massenmarkt zu begegnen. Die neuen Leistungs-MOSFETs wurden für hohe Robustheit und Benutzerfreundlichkeit optimiert. Sie wurden speziell für die Anforderungen eines breiten Anwendungsspektrums entwickelt und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Zu den Anwendungen zählen industrielle Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe, batteriebetriebene Anwendungen, Batteriemanagementsysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).



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