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"Die Mexperten arbeiten schnell, flexibel und zuverlässig. Außerdem sind sie fachkompetent, kennen sich sowohl in der Medienlandschaft aus als auch in der Technik. Zusammen sind das genau die Eigenschaften, die einem Fachredakteur das Leben erleichtern. Ich schätze diese Zusammenarbeit sehr, mittlerweile seit mehr als zehn Jahren."
Dr. Matthias Laasch
Chefredakteur, Elektronik Informationen
News, die aktuell über unseren Ticker laufen
Böblingen, 13. Oktober 2026 – Keysight Technologies hat in Zusammenarbeit mit der Universität Glasgow, dem National Physical Laboratory (NPL) und der MPI Corporation einen neuen Ansatz zur Breitbandcharakterisierung von Halbleiter-Bauelementen der nächsten Generation im Sub-Terahertz-Bereich (Sub-THz) entwickelt. Gemeinsam demonstrierten die Organisationen die kontinuierliche On-Wafer-Charakterisierung von InP-HEMTs (Indiumphosphid-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) von nahezu Gleichstrom bis 250 GHz in einem einzigen Durchlauf, wodurch Breitbandmessungen für die fortschrittliche Halbleiterforschung und -entwicklung vereinfacht werden.
ams OSRAM tritt der von Credo geführten OCP-Initiative zur Standardisierung von Short-Reach Micro-Emitter Optics bei
Premstätten, Österreich, und München, Deutschland (13. Oktober 2026) – ams OSRAM tritt der von Credo geführten OCP-Initiative Short-Reach Micro-Emitter Optics zur Standardisierung hochparalleler optischer AI-Interconnects bei
Infineon stellt zuverlässigen Hot-Swap-Controller (XDP8HD40S-1) für KI-Serverarchitekturen basierend auf 800 VDC vor
München, 12. Oktober 2026 – Infineon stellt den XDP8HD40S-1 vor, einen Hochspannungs-Hot-Swap-Controller für den digitalen Schutz und die Überwachung von Strompfaden in KI-Serverarchitekturen, die mit ±400 Volt und 800 Volt Gleichspannung (VDC) betrieben werden. Mit der Skalierung von KI-Clustern von 48 V hin zu höheren Rack-Leistungsstufen gewinnt eine zuverlässige Hot-Swap-Funktionalität zunehmend an Bedeutung für einen unterbrechungsfreien Systembetrieb. Der XDP8HD40S-1 ermöglicht eine sichere Verbindung und Trennung von Leistungsmodulen, Wandlern, Grafikprozessoren (GPUs) und Server-Subsystemen unter Beibehaltung der Systemintegrität. Damit erweitert das Bauteil das Leistungshalbleiterportfolio von Infineon, das Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) umfasst, um eine zusätzliche Schutz- und Überwachungsebene für skalierbare KI-Infrastruktur.
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